射孔器选择性支架植入后中风症状性颅内狭窄

文摘

摘要目的:研究频率、临床过程和功能的结果导致射孔器中风(PS)选择性症状性颅内狭窄的支架。

方法:2001年9月至2004年11月,连续169 181症状性颅内狭窄患者接受支架植入过程在我们的研究所。术前射孔器梗塞毗邻狭窄的部分(pia) MRI是盲目地评估。患者支架植入后PS登记。每个病人是由一位有经验的评估中风神经学家通过神经系统检查和NIH卒中量表得分直到放电,在30天的每一天,和改良Rankin规模(夫人)结束时得分第一,第三,和第六个月,然后每隔6个月。

结果:PS频率为3.0%(5/169例)。患者术前的pia有更高频率的PS和PS恶化,造成颅内支架(8.2%,4/49),对病人没有术前pia (0.8%, 1/120;p= 0.031)。四个PSs发生在程序和一个支架植入后10小时。四PSs达到最大赤字几乎在一次,和一个2小时后发病。所有5个患者功能独立(≤1)夫人在12个月。

结论:患者术前射孔器梗塞毗邻狭窄的后段射孔器中风更高频率选择性颅内狭窄的支架。大多数射孔器中风发生在过程和达到的最大赤字几乎立即。功能效果相对较好。